SK하이닉스, 미국 인디애나에 HBM 패키징 팹 기공
투데이에너지 · · EnergyNews 요약
SK하이닉스는 현지시간 27일 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산기지 기공식을 열었다. 이 프로젝트에는 40억 달러 이상이 투자되며, 2028년 10월 클린룸 완공을 거쳐 2029년 하반기 미국 내 양산 전환을 목표로 한다.
인디애나 팹은 한국에서 생산한 웨이퍼를 이송해 어드밴스드 패키징과 테스트를 거쳐 최종 제품을 공급하는 방식으로 운영되며, 초기에는 약 1,000여 명의 현지 인력을 중심으로 가동될 예정이다. SK하이닉스는 팹 건설·운영을 통해 직·간접 약 7,000개 일자리 창출을 전망했고, 100여 개 이상의 소재·부품·장비 협력사 유치 계획을 밝혔다.
또한 퍼듀대학교와 어드밴스드 패키징 공동연구 및 R&D 테스트베드 조성을 위한 MOU를 체결했다.
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 수치와 단위는 원문 기준을 유지했습니다.
원문 전체 읽기



