UNIST, 주석계 EUV 포토레지스트 감도·정밀도 조절 기술 개발
전기신문 · · EnergyNews 요약

UNIST 에너지화학공학과 장지현 교수팀은 차세대 극자외선(EUV) 노광 소재인 주석계 포토레지스트의 감도와 패턴 정밀도를 조절하는 기술을 개발했다고 9월 21일 밝혔다. 연구팀은 주석 원자를 둘러싼 리간드 물질을 바꿔 클러스터의 핵수를 조절하는 방식을 적용했다.
전자를 내주는 성질의 아다만탄-1-카르복실산을 리간드로 쓴 소재는 주석 원자 6개가 모인 구조로 감도가 높아 적은 전자빔 노출량으로 설계 선폭 20나노미터 패턴을 형성했다. 전자를 끌어당기는 디페닐포스핀산을 쓴 소재는 주석 원자 3개 구조로 더 많은 전자빔이 필요했으나, 폭 50나노미터 선에서 선 가장자리 거칠기가 1.02나노미터로 측정됐다.
장지현 교수는 주석 함량뿐 아니라 리간드의 성질이 감도와 패턴 정밀도를 좌우한다는 점을 밝혔다며, 공정 요구에 맞는 차세대 EUV 포토레지스트 개발의 설계 기준으로 활용될 것이라고 설명했다.
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