
KERI, 상온서 그래핀 직접 성장 기술 개발
한국전기연구원(KERI) 전력케이블연구센터 김호섭 박사·남수현 연구원 연구팀은 약 1000℃ 고온 공정이나 전사 과정 없이 상온에서 기판 위에 그래핀·그래파이트 박막을 직접 성장시키는 기술을 개발했다고 밝혔다. 연구팀은 반도체·디스플레이에 쓰이는 스퍼터링 장비를 개조해 직류(DC) 기반 'K-sputtering' 장치와 공정을 만들었고, 기판 결정 방향에 따라 탄소 원자가 배열되는 에피택시를 스퍼터링 공정에서 구현했다. 인천대 김준호 교수팀, 경북대 이세희 교수팀과 함께 라만분광법, AFM, TEM, EBSD 등으로 박막 구조와 특성을 교차 검증했다. KERI는 구리와 그래핀 박막을 번갈아 적층한 전력기기용 복합도체를 목표로 장비 대형화와 연속생산 기술 개발을 다음 단계로 추진할 계획이다. 연구결과는 국제학술지 'Surface & Coatings Technology'에 게재됐고, 연구팀은 국내 특허 3건과 국외 특허 1건을 출원했다.
9월 27일




