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3nm 산화알루미늄 버퍼층 적용 반투명 페로브스카이트 셀 17% 효율

국제 공동 연구팀이 역구조 페로브스카이트 태양전지에서 C₆₀ 전자수송층과 스퍼터 증착 ITO 전극 사이에 원자층증착(ALD) 방식의 산화알루미늄(AlOₓ) 버퍼층을 적용했다. 연구팀은 AlOₓ를 1.5nm, 3nm, 5nm, 8nm, 15nm 두께로 제작해 버퍼층이 없는 셀 및 3nm·10nm·20nm SnOₓ 기준 소자와 비교했다. 저출력 마그네트론 스퍼터링 조건에서 3nm AlOₓ는 스퍼터 손상을 억제했으나 1.5nm는 그렇지 못했다. 3nm AlOₓ 소자는 20nm SnOₓ 소자와 유사한 성능을 보여 반투명 페로브스카이트 셀에서 17% 이상, 페로브스카이트-실리콘 탠덤 소자에서 26% 이상의 광전변환효율을 기록했다. 해당 연구는 'Sputter-resistant aluminum oxide layer enables robust perovskite tandem solar cells' 제목으로 Materials Today에 게재됐으며, 독일 슈투트가르트대학교, 율리히연구센터, Solarlab Aiko Europe, 포르투갈 INL이 참여했다.

9월 17일