KERI, 상온에서 그래핀·다층 그래파이트 직접 성장 기술 개발
한국전기연구원(KERI) 전력케이블연구센터 김호섭 박사와 남수현 연구원팀은 가열 공정 없이 상온에서 기판 위에 그래핀부터 다층 그래파이트까지 직접 성장시키는 기술을 개발했다고 27일 밝혔다. 연구팀은 산업용 코팅 기술인 스퍼터링을 개량한 독자 장치 'K-sputtering'을 통해 탄소 원자가 기판 결정 구조를 따라 규칙적으로 쌓이는 에피택시 성장을 구현했다. 기존 화학기상증착(CVD) 방식은 제조한 그래핀을 다른 소재로 옮기는 전사 공정이 필요해 대면적 생산과 금속·그래핀 반복 적층에 제약이 있었으나, 이번 기술은 하나의 장비에서 구리와 그래핀을 번갈아 적층할 수 있다. 연구팀은 인천대 김준호 교수팀, 경북대 이세희 교수팀과 함께 라만분광법과 전자현미경으로 박막 구조와 특성을 교차 검증했다. 연구 결과는 국제학술지 'Surface & Coatings Technology'에 게재됐고, 국내 특허 3건과 국외 특허 1건이 출원됐다.
9월 27일