효율·산업 탈탄소에너지데일리
KERI, 상온 스퍼터링으로 그래핀·그래파이트 박막 직접 성장
한국전기연구원(KERI) 김호섭 박사 연구팀이 자체 개발한 'K-sputtering' 장치로 기판 가열 없이 상온에서 그래핀부터 다층 그래파이트 박막까지 기판 위에 직접 성장시키는 기술을 개발했다. 기판의 결정 방향에 맞춰 탄소 원자를 정렬하는 에피택시 성장 방식으로, 기존 스퍼터링에서 비정질 탄소막이 형성되는 원인을 분석해 장치와 공정을 개조했다. 결과 검증에는 인천대(라만분광법·원자힘현미경), 경북대(EBSD), 한국전자통신연구원(TEM)이 참여해 교차 확인했다. 연구결과는 국제 SCIE 학술지 'Surface & Coatings Technology'에 2026년 게재됐고, 국내 3건·국외 1건의 특허가 출원됐다. 김 박사는 완제품 성능을 제시하는 단계가 아닌 원천기술 검증 단계라고 설명하며, 향후 구리층과 그래핀층을 번갈아 적층한 복합도체 제작과 대면적 공정 고도화를 계획한다고 밝혔다.
9월 27일