효율·산업 탈탄소전기신문
POSTECH·KAIST, κ상 In₂Se₃ 4인치 웨이퍼 트랜지스터 구현
POSTECH 화학공학과 노용영 교수·이재윤 통합과정 연구팀과 KAIST 전기및전자공학부 권지민 교수·이용우 박사 연구진이 카파상(κ상) 인듐 셀레나이드(In₂Se₃)로 4인치 웨이퍼 규모 논리 트랜지스터를 구현했으며, 결과는 국제 학술지 네이처 커뮤니케이션즈에 게재됐다. 연구팀은 열증착 공정으로 박막을 형성한 뒤 250℃에서 열처리해 약 10nm 두께의 κ상 박막을 4인치 웨이퍼 전체에 균일하게 형성했고, 공정 온도는 450℃ 이하로 유지했다. 웨이퍼에 24×24 형태로 집적한 576개 트랜지스터는 평균 전자 이동도 39.3㎠/V·s, 온·오프 전류비 1억 이상을 기록했다. 100ns의 전기 신호를 1000만회 반복 인가하는 실험에서도 안정적으로 작동했다. 연구팀은 p형 소재인 셀레늄 합금화 텔루륨 산화물(Se-TeOₓ)을 결합해 인버터 회로도 구현했다.
9월 3일